Fast Nanotube Transistor
Peter J Burkedan kolega-kolegany dari university of California at Irvine, telah mendemonstrasikan operasi dari Single Wallet Nanotube (SWNT) Transistor pada frekuensi gelombang mikro.
Devais seperti itu mungkin sangat berguna pada aplikasi pengolahan sinyal frekuensi radio, komputasi, cell phone, dan komunikasi nirkabel.
“Sejak ditemukannya, banyak prediksi-prediksi Transistor Nanotube dapat beroperasi sangat cepat”, kata Burke, “namun begitu kami lah yang pertama menunjukan hasil eksperimen kalau transistor itu dapat beroperasi pada kecepatan gelombang mikro (GHz)”.
Para periset membuat fabrikasi SWNT transistor dengan geometri back-gate. SWNT ditumbuhkan pada substrat Silikon (Si), ditambah kontak dari Ti/Au dan tegangan Gate diapikasikan pada substrat.” Nanotube secara tipenya adalah komponen dengan impedansi tinggi” jelas Burke, ” apa yang kami lakukan adalah membuat rangkaian yang cocok dengan impedansi untuk mengukur impedansi Source-Drain pada frekuensi geombang mikro.
Resonansi ditemkan terjadi pada koefisien refleksigelombang mikro dari nanotube dan rangkaian impedansi pada 2.6GHz, pada frekuensi ini periset mengukur perubahan impedansi pada Source-Drain ketika di beri tegangan Gate.
Dengan mem-verifikasi kinerja Transitor, Burke berkesimpulan kalau transistor nanotube kemunginan lebih cepat dari yang dibuat dengan teknologi semikonduktor konvensional., dia memprediksi frekuensi cut- off transistor ini dapat mencapai kisaran TeraHertz. Dengan asumsi panjang Gate sebanding dengan Teknologi Silikon (Si) yang ada sekarang.
[Agustus 2004]